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3D晶体管之父胡正明获IEEE最高荣誉,他是台积电前CTO,为摩尔定律续命十几年

  晓查 发自 凹非寺

  量子位 报道 | 公家号 QbitAI

  IEEE最高荣誉发表,华人科学家斩获年度殊荣。

  克日,国际电子电气工程学会(IEEE)发布了2020年IEEE荣誉奖章得到者,华人学者胡正明获奖,他是汗青上第三位得到该奖项的华人学者。

3D晶体管之父胡正明获IEEE最高荣誉,他是台积电前CTO,为摩尔定律续命十几年

  △ 胡正明(图片来自IEEE)

  胡正明获奖原因是他“开拓半导体模子并将其投入出产实践,尤其是3D器件布局,使摩尔定律又一连了数十年”。摩尔也曾在2008年得到过IEEE荣誉奖章。

  胡正明于1999年开拓出了FinFET,因此被称为3D晶体管之父。这项发现被看做是50多年来半导体技能的重大转变。

  当晶体管的尺寸小于25纳米时,传统的平面场效应管的尺寸已经无法缩小。FinFET的呈现将场效应管立体化,晶体管密度才气进一步加大,让摩尔定律得以维持下去。

  FinFET是现代纳米电子半导体器件制造的基本,此刻7nm芯片利用的就是FinFET设计。

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  关于IEEE荣誉奖章

  IEEE荣誉奖章(IEEE Medal of Honor),创建于1917年,每年仅授予一人,是国际电子电气工程学会的最高荣誉,也是世界电气电子工程学界的最高嘉奖。

3D晶体管之父胡正明获IEEE最高荣誉,他是台积电前CTO,为摩尔定律续命十几年

  汗青得到该奖章的知名流士尚有晶体管发现者巴丁和信息论首创人香农。

  此前仅有两位华人得到过该奖章,别离是贝尔尝试室研发部前主任卓以和(1994年)、台积电前董事长张忠谋(2011年)。

  本年的奖项打算在5月15日在温哥华举行“的IEEE愿景、创新和挑战峰会”上的年度IEEE荣誉仪式上揭晓。

  胡正明简介

  胡正明1947年出生于北京,后移居台湾,1968年结业于台湾大学电机工程系。从此赴美国留学,1973年获加州大学伯克利分校博士学位。

3D晶体管之父胡正明获IEEE最高荣誉,他是台积电前CTO,为摩尔定律续命十几年

  自1976年以来,他一直是加州大学伯克利分校电气工程和计较机系的传授。他还投身财富界,曾接受半导体制造商安霸的董事会成员,厥后于2001~2004年又接受台积电CTO。

  在学术方面,胡正明总共撰写了五本书,颁发了900篇研究论文,并拥有100多项美国专利。

  胡正明照旧IEEE Fellow、美国国度工程院院士、中国科学院外籍院士,而且照旧中国科学院微电子所、清华大学等院校的荣誉传授。

  胡正明多次得到过IEEE授予的荣誉奖项,2016年入选硅谷工程师名流堂,并在当年由美国总统奥巴马授予白宫国度技能创新奖。

  作者系网易新闻·网易号“各有立场”签约作者

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(责任编辑:王治强 HF013)

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